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癲癇雜志劉曉燕2025-01-18

操作指南(一):臨床腦電圖基本技術標準(2022)

腦電圖(Electroencephalography,EEG)是通過記錄大腦皮質電信號動態(tài)反映腦功能狀態(tài)的技術,對于癲癇的診斷和定位具有不可取代的重要作用,在各種腦疾病、重癥醫(yī)學和新生兒領域的腦功能監(jiān)測和預后評估方面也有廣泛應用,同時也是腦科學研究的重要方法。制定腦電圖在臨床各領域的技術操作指南,目的在于指導臨床正確應用腦電圖技術,提高腦電圖記錄質量,為臨床提供盡可能準確的腦電圖診斷結果,并推動診斷標準規(guī)范化及統(tǒng)一專業(yè)術語,以利于在專業(yè)內(nèi)的交流與合作。

 

本指南系列由中國抗癲癇協(xié)會腦電圖和神經(jīng)電生理分會組織神經(jīng)內(nèi)科、神經(jīng)外科、兒童神經(jīng)科、重癥醫(yī)學科和新生兒科的腦電圖專家共同制定。在對當前國內(nèi)外臨床腦電圖專業(yè)發(fā)展信息薈萃和分析的基礎上,指南提出了腦電圖在各領域的基本技術操作要求,并推薦達到更高標準。在具體實踐方面,指南不排除根據(jù)臨床需要適當采取合理范圍的變動方法,但不應降低腦電圖檢查的基本要求和臨床所應達到的目的。本指南系列包含9個部分,分別為:

 

指南一. 腦電圖基本技術標準 ;

 

指南二. 腦電圖誘發(fā)試驗技術標準;

 

指南三. 兒童腦電圖基本技術標準;

 

指南四. 視頻腦電圖基本技術標準;

 

指南五. 癲癇監(jiān)測單元建設標準;

 

指南六. 癲癇外科腦電圖和神經(jīng)電生理技術標準;

 

指南七. 危重癥持續(xù)腦電圖監(jiān)測技術標準;

 

指南八. 新生兒腦電圖技術標準;

 

指南九. 臨床腦電圖報告規(guī)范。

 

其中指南一和指南二是對臨床腦電圖技術操作最基本的要求,指南三~八是在指南一的基礎上,對不同領域的腦電圖技術操作提出的特殊要求。指南九是對臨床腦電圖報告的規(guī)范化要求。因此本指南系列既是一個整體,各部分又具有相對獨立性,適用于所有開展臨床常規(guī)腦電圖(Routine EEG,REEG)和視頻腦電圖(Video EEG,VEEG)的科室和專業(yè)。但本指南不包括對便攜式腦電圖(Ambulatory EEG,AEEG)監(jiān)測的技術操作要求,這是因為現(xiàn)在對門診或家庭長程AEEG的全程管理尚缺乏統(tǒng)一標準,而且從移動醫(yī)療的角度考慮,某些AEEG的方法可能超出了診斷范疇。由于當前數(shù)字化腦電圖已全面取代了以往的模擬(走紙)腦電圖,因此本指南的所有內(nèi)容均基于數(shù)字化腦電圖的特點,不再包含僅在模擬腦電圖操作中使用的術語和要求,如增益、紙速、阻尼、對導聯(lián)變化和參數(shù)調整隨時進行標記等內(nèi)容。

 

指南一

臨床腦電圖基本技術標準

 

以下推薦的臨床腦電圖基本技術標準是各種不同情況下臨床腦電圖技術操作的基礎。本指南系列的以后各部分,包括兒童腦電圖記錄、視頻腦電圖監(jiān)測(Video EEG,VEEG)、癲癇外科和癲癇監(jiān)測單元的VEEG監(jiān)測、重癥監(jiān)護病房(ICU)和新生兒的床旁VEEG監(jiān)測,首先均應符合以下技術操作的基本標準,除非有特殊要求。

 

1 臨床腦電圖檢查的設備和環(huán)境要求

 

1.1 腦電圖儀

 

現(xiàn)在均使用數(shù)字化腦電圖儀,儀器各項指標應符合國際標準并通過國內(nèi)上市標準。考慮到常規(guī)10-20系統(tǒng)需要19~21個記錄電極,以及額外的腦電記錄電極(如下顳區(qū)電極)、心電圖、肌電圖、眼動圖等多導生理記錄的需要,常規(guī)頭皮腦電圖使用的儀器至少需要32個或更多通道的放大器。10-10電極系統(tǒng)和顱內(nèi)腦電記錄需要128通道或更多通道的放大器。放大器的主要參數(shù)要求見表1-1。

 

表1.png

 

1.2 電極

 

1.2.1 頭皮腦電圖電極

 

推薦使用銀-氯化銀或不銹鋼材質的盤狀電極,以導電膏、醫(yī)用膠紙和彈力帽固定。僅在成人短時間清醒期記錄可使用橋式電極。顱內(nèi)腦電圖一般使用不銹鋼電極。銀電極因有組織毒性,不適用于顱內(nèi)電極記錄。如同時需要進行磁共振檢查,需要使用無磁性的鉑銥電極。實踐證明增加下顳區(qū)表面電極記錄與深部蝶骨電極記錄效果相似,且可避免對患者造成不適,因此目前針刺蝶骨電極的應用趨于減少。頭皮針電極僅在昏迷或腦死亡患者非常緊急且非常必要進行腦電圖記錄時可短時應用,其他情況下均不推薦應用。電極須保持清潔,對疑診或確診為傳染性疾?。ㄈ绮《拘愿窝住⒖搜攀喜?、獲得性免疫缺陷綜合征等)患者,記錄后應對電極進行有效消毒,或選擇一次性電極,以避免醫(yī)源性感染。

 

1.2.2 多導生理記錄電極

 

多導生理記錄的電極(傳感器)及默認參數(shù)設置見表1-2,可根據(jù)需要選擇使用。

 

表2.png

 

1.3 閃光刺激器

 

用于頭皮腦電圖記錄的設備均應配備閃光刺激器,具體要求見指南二。

 

1.4 檢查環(huán)境和電路系統(tǒng)

 

腦電圖室應盡量遠離影像科、理療科、電梯間等有大功率電源干擾的環(huán)境,否則需要做特殊屏蔽。腦電圖機應有專用電源,避免與其他電路共用電源,以減少電源干擾。腦電圖室應有深埋于地下3米的專用地線,周圍用木炭或石灰填埋。如患者身體同時連接多種醫(yī)療電子設備,應共用地線單點接地,這在ICU或手術室內(nèi)記錄時尤其要注意,以保證患者安全并減少記錄干擾。

 

1.5 網(wǎng)絡系統(tǒng)和數(shù)據(jù)庫

 

推薦建立腦電圖檢查資料的數(shù)據(jù)庫,這在有一定規(guī)模的腦電圖室或癲癇中心非常必要。在有多臺腦電圖儀時推薦建立局域網(wǎng)并配備足夠存儲容量的服務器,實現(xiàn)檢查資料的共存共享。要確保數(shù)據(jù)庫存儲介質使用的長期性、安全性和讀取檢索的方便性。在存儲介質方面,磁帶或光盤儲存不利于讀取和檢索,推薦更新升級。腦電圖數(shù)據(jù)庫可接入醫(yī)院的醫(yī)療內(nèi)網(wǎng)系統(tǒng),便于醫(yī)生在門診、病房等多處終端調閱。

 

2 常規(guī)腦電圖操作技術要求

 

2.1 常規(guī)腦電圖的定義

 

常規(guī)腦電圖的定義是短程腦電圖檢查(不論有或沒有同步視頻監(jiān)測),記錄時間不少于30min,可根據(jù)需要適當延長記錄時間。患者無需住院觀察。

 

2.2 患者準備

 

進行常規(guī)清醒腦電圖記錄前,應囑咐患者睡眠充足(避免記錄中困倦),避免空腹(防止血糖降低對腦電活動的影響),洗頭(不用發(fā)蠟等影響電極阻抗的油質護發(fā)用品)。技術人員應了解患者的相關病情和檢查目的,并應了解是否有過度換氣等誘發(fā)試驗的禁忌癥(見指南二)。如果需要記錄睡眠期腦電圖,患者應在檢查當日凌晨3~5時起床,必要時服用水合氯醛誘導睡眠。正在服用抗癲癇發(fā)作藥物(Anti-seizure medication,ASM)的癲癇患者在檢查前不應停藥。如果出于特殊診斷目的(如鑒別發(fā)作類型或了解發(fā)作起源)需要減停ASM,或需要進行某種有風險的誘發(fā)試驗,則應安排患者住院進行長程VEEG監(jiān)測(見指南四和指南五)。

 

2.3 患者基本信息

 

應記錄與腦電圖檢查相關的各項患者信息,包括患者的人口學信息、醫(yī)療代碼、診斷和治療信息、腦電圖檢查項目及患者意識狀態(tài)等。癲癇患者應記錄最后一次發(fā)作的時間(見指南九)。

 

2.4 記錄時間

 

不論是什么檢查目的,常規(guī)清醒期腦電圖檢查至少需要有20min 的無偽差記錄(包括睜-閉眼試驗)。在沒有禁忌證的患者,過度換氣和閃光刺激是常規(guī)的誘發(fā)試驗(見指南二),而且需要額外增加記錄時間。如果需要記錄睡眠期腦電圖,應在清醒期記錄后額外延長睡眠記錄時間。僅有睡眠期腦電圖不能取代對清醒期腦電圖檢查的目的以及對背景活動的判斷。對于癲癇的診斷和鑒別診斷,僅記錄短程清醒期腦電圖通常是不夠的,因此推薦進行長程VEEG監(jiān)測(見指南四)。

 

2.5 儀器校準

 

每次腦電圖記錄前應對所有通道進行校準測試,包括儀器校準(方波校準)和生物校準(所有放大器通道連接同一導聯(lián)組合,最好是參考導聯(lián)),以確認所有通道對校準信號做出同等而準確的響應。

 

2.6 阻抗測試

 

安放電極后應測試每個電極與頭皮之間的阻抗,要求在100~5000Ω之間。阻抗過高可產(chǎn)生各種干擾,阻抗過低則應注意“鹽橋”效應。同時需要特別注意各電極間的阻抗平衡,阻抗差別過大會因電極間的電壓差而產(chǎn)生微弱電流,造成干擾偽差。在記錄過程中應隨時注意記錄質量,如出現(xiàn)由電極因素引起的偽差,應及時進行檢查和修理。其他原因的偽差應找出來源并盡可能消除。

 

2.7 儀器參數(shù)調整

 

在腦電圖記錄過程中和回放分析時,應根據(jù)情況對以下參數(shù)進行適當調整,以期獲得最佳記錄效果和更準確的分析結果。在閱圖時是否能有目的進行參數(shù)調整反映了閱圖者對腦電圖的理解和操作水平。

 

2.7.1 靈敏度調整

 

數(shù)字化腦電圖的靈敏度(sensitivity)為輸入電壓(μV)與輸出波形垂直距離(mm)的比值,以μV/mm表示,在不同尺寸的顯示屏上則根據(jù)時間和高度標尺反映其縮放比例。成人因背景活動波幅較低,一般用7μV/mm或10μV/mm;兒童波幅較高,可選用10μV/mm或20μV/mm。靈敏度降低可使低幅活動無法顯示,過高則不利于準確識別波形和部位,閱圖時應根據(jù)情況隨時對靈敏度適當調整。

 

2.7.2 帶寬濾波調整

 

表3.png

 

數(shù)字化腦電圖放大器的濾波分為兩級。一級濾波由放大器本身的帶寬特性決定(硬件濾波)。在放大器最高采樣率(如2000Hz)的限度內(nèi),可以根據(jù)需要設定適當?shù)牟蓸勇剩O采樣率決定了高頻濾波(High-frequency filters,HF)的上限。高頻濾波也稱低通濾波(low-pass filters),其最高值不超過采樣率的1/4,如采樣率設定為500Hz,則HF最高為120Hz。低頻濾波(Low-frequency filters,LF)也稱高通濾波(highz-pass filters),也可用時間常數(shù)(Time constant,TC)表示。TC(s)和LF(Hz)的換算數(shù)值見表1-3。二級濾波是用戶可以調整的軟件濾波,一般頭皮腦電圖默認的帶寬是0.5Hz~70 Hz。在分析腦電圖時可根據(jù)不同情況或不同目的臨時調整帶寬濾波。例如降低HF可減少高頻干擾信號,提高HF可觀察γ頻段或更高頻率的腦電活動;提高LF可衰減呼吸或出汗導致的緩慢基線漂移,降低LF便于觀察癲癇發(fā)作起始期的緩慢去極化漂移。 但要注意過度濾波會導致腦波失真,因此在分析特定頻段腦波后要及時恢復默認帶寬閱圖。

 

2.7.3 陷波濾波(notch filters)

 

也稱為交流濾波(AC filter),目的是選擇性衰減交流電干擾。國內(nèi)一般使用50Hz交流電,因此陷波濾波應設定為50Hz。由于陷波濾波會使高頻部分的快波(包括棘波)失真或衰減,因此只有在交流電干擾不能通過其他方法消除時才開啟陷波濾波。

 

2.7.4 時間分辨率調整

 

數(shù)字化腦電圖儀的時間分辨率可通過改變每屏(或每頁)顯示的時間長度來設定。常規(guī)腦電圖記錄建議使用A4紙10s/頁打印;顯示器屏幕為4∶3時每屏顯示10s(如為16∶9的寬屏顯示器每屏可顯示15s)。如降低至每屏顯示5s、2s或1s可提高時間分辨率,用于分析測量高頻快波節(jié)律;而每屏顯示20s、30s及至60s 可降低(壓縮)時間分辨率,用于分析較長時段內(nèi)腦電活動的變化趨勢(如暴發(fā)-抑制或長周期性波)。由于顯示器有不同的大小和長寬比,腦波應以實際測量的結果為準。在屏幕顯示和打印圖上應顯示軟件自帶的標尺。

 

2.8 記錄中的觀察和操作

 

在常規(guī)腦電圖記錄中,技術人員應在旁隨時注意患者的意識水平(清醒、思睡、睡眠等)及其他任何變化,并在記錄或分析過程中予以標注。標注的術語應明確,使其他閱圖者在理解上不產(chǎn)生歧義(如僅標注“S”,其他人可能理解為“sleep”或“seizure”)。常用術語應在分析軟件中統(tǒng)一設定。如患者在記錄過程中出現(xiàn)發(fā)作,應在充分保護患者安全的前提下,繼續(xù)進行腦電圖記錄直至發(fā)作結束后,并注意觀察患者的發(fā)作癥狀(意識狀態(tài)、對外界的反應、異常運動癥狀等),以便獲得重要的診斷信息。出現(xiàn)癲癇持續(xù)狀態(tài)或其他嚴重情況時,應及時通知相關醫(yī)生到場進行處置。

 

2.9 數(shù)據(jù)分析和儲存

 

腦電圖記錄完成后,應由腦電圖專業(yè)技師進行閱圖分析和書寫報告,并由有資質的腦電圖醫(yī)師復核簽發(fā)報告。對于記錄期間出現(xiàn)的癲癇發(fā)作、癲癇持續(xù)狀態(tài),以及其他重要的臨床事件,腦電圖醫(yī)師應分析原始記錄資料以確定診斷。分析后的腦電圖數(shù)據(jù)應進行存儲歸檔。

 

3 電極位置及命名

 

3.1 國際腦電圖電極系統(tǒng)

 

 

腦電圖記錄電極標準化位置的基本原則是左右對稱,距離等比例,覆蓋大腦半球凸面的主要解剖部位,建立普遍一致并可重復對比的電極位置系統(tǒng)。國際臨床神經(jīng)生理學聯(lián)合會(International federation of clinical neurophysiology,IFCN)于1958年制定的國際10-20電極系統(tǒng)至今仍然是應用最為廣泛的標準電極位置(圖1-1)。隨著數(shù)字化多通道腦電圖儀器的出現(xiàn),高密度電極記錄可以提高腦電圖的空間分辨率,并可對頭皮腦電信號進行溯源分析。在此基礎上,又出現(xiàn)了10-10系統(tǒng)(圖1-2)和一些附加電極位置的改良方案(圖1-3)。

 

3.2 電極位置的基本命名原則

 

每個電極位置均由字母和數(shù)字組成,字母是該電極所對應腦葉或腦區(qū)英文單詞的首字母大寫(Fp-額極、F-額、T-顳、C-中央、P-頂、O-枕),中線電極在大寫字母后加 z(如Fz、Cz、Pz、Oz)。如并列兩個大寫字母則表示涉及兩個腦區(qū)的交界,如FC(額中央)、CP(中央頂)、TP(顳頂)等。除顳區(qū)(T)外,每一條冠狀線上電極(相當于橫聯(lián))的字母相同,即基本位于同一解剖區(qū)域,如10-20系統(tǒng)的C3-Cz-C4(中央?yún)^(qū)),或10-10系統(tǒng)的F9-F7-F5-F3-F1-Fz-F2-F4-F6-F8-F10(額區(qū))。除顳區(qū)(T)外,每一條矢狀線上電極(相當于縱聯(lián))的數(shù)字相同,左側單數(shù),右側雙數(shù)。如10-20系統(tǒng)的F3-C3-P3,或10-10系統(tǒng)的Fp2-F2-FC2-C2-CP2-P2-O2等。

 

3.3 電極系統(tǒng)

 

3.3.1 國際10-20系統(tǒng)

 

10-20系統(tǒng)中的T3/T4和T5/T6在10-10系統(tǒng)中分別改為T7/T8和P7/P8,使之符合上述電極命名規(guī)則。但在10-20系統(tǒng)中仍可以繼續(xù)使用T3/T4和T5/T6的命名。

 

3.3.2 國際10-10系統(tǒng)

 

10-10系統(tǒng)中的某些電極(FT7/FT8,F(xiàn)T9/FT10,T9/T10)對診斷顳葉內(nèi)側和底部癲癇特別有幫助,其中FT9/FT10電極位置非常接近T1/T2的位置。同時有研究表明,對于顳葉內(nèi)側癲癇,無創(chuàng)性下顳電極可以和蝶骨電極(Pg1/Pg2)一樣有效檢測到發(fā)作間期和發(fā)作期癲癇樣放電,而且操作簡單無創(chuàng),可以取代蝶骨電極記錄。在使用10-10電極系統(tǒng)時,應注意當P與6或更小的數(shù)字組合時代表頂葉,如果P與7或更大的數(shù)字組合則代表后顳區(qū)。

 

3.3.3 改良的10-20系統(tǒng)

 

有些癲癇樣活動來自顳葉前部或底部(如伴海馬硬化的顳葉內(nèi)側癲癇等),但標準10-20系統(tǒng)的電極并不覆蓋這些部位。為此IFCN于2017年提出改良的電極安放方法,即在10-20系統(tǒng)基礎上,左右下顳區(qū)各增加3個電極,即F9/F10(T9/T10之前 20%,比F7/F8低10%),T9/T10(比T7/T8低10%),和 P9/P10(T9/T10之后20%,比P7/P8低10%),統(tǒng)稱為下顳電極。改良的10-20系統(tǒng)共計有25個腦電記錄電極(圖1-3)。電極命名原則與10-10系統(tǒng)一致。

 

3.4 電極安放

 

首先應使用軟尺測量重要坐標點連線(眉弓中點-枕骨粗隆連線、雙側外耳道連線、顱頂正中交叉點)的距離參數(shù),并根據(jù)這些坐標點準確測量每個電極的位置。如不測量,僅能稱之為近似10-20系統(tǒng)。

 

3.5 不同電極系統(tǒng)的臨床應用

 

3.5.1 常規(guī)腦電圖

 

對于常規(guī)腦電圖,10-20電極系統(tǒng)對大多數(shù)患者已經(jīng)足夠,同時也兼顧了操作時間、精力和成本方面。對于癲癇的診斷和鑒別診斷,在多數(shù)情況下10-20系統(tǒng)的VEEG監(jiān)測也能滿足診斷要求。

 

3.5.2 癲癇外科或癲癇監(jiān)測單元

 

對于開展癲癇外科的癲癇中心或癲癇監(jiān)測單元,推薦所有患者均使用改良的10-20系統(tǒng),即增加下顳電極(或增加蝶骨電極和T1/T2電極),提高局部放電的檢出率,協(xié)助局灶性癲癇的定位診斷。

 

3.5.3 高密度10-10電極系統(tǒng)

 

高密度的10-10電極系統(tǒng)具有更高的空間分辨率,可提供更精確的定位信息。但10-10系統(tǒng)共有80多個電極位點,需要高通道的腦電圖儀。高密度電極通常用于溯源定位或電源成像研究。局灶性癲癇的術前評估也可使用10-10電極系統(tǒng),但通常并不需要放置所有的位點,可根據(jù)懷疑的致癇區(qū)選擇局部加密電極,例如在懷疑為額葉內(nèi)側面癲癇時可增加10-10系統(tǒng)中的某些電極(FC1/FC2、FCz、C1/C2、CP1/CP2和CPz ),懷疑為顳葉癲癇時可增加下顳電極(FT7/FT8,F(xiàn)T9/FT10,T9/T10)。

 

4 導聯(lián)組合(montage)

 

數(shù)字化腦電圖理論上可以任意形成各種導聯(lián)組合方式,但實際上并不需要如此繁多的導聯(lián)組合,同時有必要制定常規(guī)腦電圖檢查的標準導聯(lián)組合,以便更好的反映腦電活動的特征,并有助于不同腦電圖室之間的交流。本指南推薦的是以10-20系統(tǒng)和改良10-20系統(tǒng)為基礎的基本導聯(lián)組合方式,在臨床實際工作中可根據(jù)患者的具體情況增加必要的導聯(lián)組合。此處推薦的導聯(lián)組合不適用新生兒腦電圖、全夜多導睡眠圖、腦死亡評估等特殊情況。

 

4.1 導聯(lián)組合的設計和使用原則

 

使用國際10-20系統(tǒng)中的全部21個電極(包括耳電極),必要時增加下顳電極。導聯(lián)組合設計應盡可能簡單,易于理解記憶和方便定位分析。數(shù)字化腦電圖記錄時采用耳電極為參考。閱圖時每一份腦電圖分析至少應使用參考導聯(lián)和縱向雙極導聯(lián)顯示,并可根據(jù)需要使用更多樣的導聯(lián)方式。閱圖時參考電極一般選擇平均參考(AV),也可根據(jù)情況選擇耳電極(A1/A2)參考、SD導聯(lián)或Cz參考。

 

4.2 多導生理記錄

 

應有單獨的通道同步記錄心電圖,以幫助識別心電偽差、脈搏偽差以及觀察心率變化。并根據(jù)需要設置其他非腦記錄通道(如肌電圖、眼動圖等)。肌電圖應將一對盤狀電極放置在所要記錄的肌肉表面互為參考,而不能以腦電圖的參考點作為參考,否則會引起心電偽差。對于癲癇外科或癲癇監(jiān)測單元,同步心電圖和肌電圖記錄是必須的;對于ICU和新生兒患者,還應增加其他生理記錄(見指南七和指南八)。

 

4.3 參考導聯(lián)法

 

又稱單極導聯(lián),記錄電極連接放大器的G1輸入端,參考電極連接G2輸入端。理論上參考電極應接近零電位,可顯示每個記錄電極的實際波形、波幅和位相。但參考電極活化是普遍存在的現(xiàn)象,這是在選擇參考方式時需要時刻注意的問題。

 

4.3.1 耳電極參考

 

耳電極(A1/A2,或 A1+A2)在過去是最常用的參考位點,有時也可用乳突(M1/M2)取代耳電極參考。其優(yōu)點是波形易于識別,但最大的問題是耳電極普遍受顳區(qū)腦波活化而導致波形失真。所以數(shù)字化腦電圖盡管推薦以耳電極為參考進行記錄,但在回放分析腦電圖時建議采用其他適當?shù)膮⒖挤绞?。在可能存在顳區(qū)異常電活動時(如顳葉癲癇)尤其不推薦耳電極參考。耳電極參考僅在判斷標志性睡眠波(如頂尖波、K-綜合波)時比其他參考方式更準確。

 

4.3.2 平均參考(AV)

 

是數(shù)字化腦電圖分析常用的參考方式,但也存在被活化的問題。因為Fp1/Fp2經(jīng)常有瞬目偽差,Cz在睡眠期有高波幅頂尖波,所以不推薦這些位點參與平均參考,以避免受到局部超高電位的活化。

 

4.3.3 源推導法(Source derivation,SD)

 

也稱Laplacian 導聯(lián)法,是每個記錄電極以其周邊所有記錄電極的加權平均電位做參考,可以避免受到遠隔電位的影響,從而使局部異常電位更突出,特別適用于顯示局灶性異常。但不是所有的商用腦電圖儀都設有SD導聯(lián)法。

 

4.3.4 Cz 參考

 

Cz本身是位于顱頂?shù)挠涗涬姌O,大多數(shù)情況下不適合作為參考電極,因為其本身的電位必然會導致其他各部位腦波的嚴重畸變。只有下顳區(qū)電極或蝶骨電極可以用Cz作為參考電極,因為Cz很少被下顳區(qū)腦波活化,但這種導聯(lián)組合本質上應屬于雙極導聯(lián)。 

 

4.4 雙極導聯(lián)法

 

雙極導聯(lián)所顯示的是兩個記錄電極之間的電位差,其波形、波幅和位相由兩點電位之間的距離和相互作用所決定。在雙極導聯(lián)法中,當一對位相倒置的波形具有一個公共電極且該電極進入兩個相鄰放大器的不同輸入端時,則可作為波形定位的依據(jù)。雙極導聯(lián)對分析有明顯極性改變的波形(如棘波、尖波)特別有用。雙極導聯(lián)的電極最好采用連續(xù)鏈式連接(如縱聯(lián)、橫聯(lián)或環(huán)聯(lián)),電極間距應均等。

 

4.5 導聯(lián)排列

 

導聯(lián)組合應遵循從前向后,先左后右的順序排列。以下所列的14種導聯(lián)組合和排列方式基本涵蓋了各種情況下的需求(粗體字可作為導聯(lián)命名),推薦各腦電圖室將所有這些導聯(lián)方式均編排在所使用的儀器內(nèi),這樣既可以根據(jù)所分析的腦電圖特點靈活選用適當?shù)膶?lián)方式,又方便在不同腦電圖室之間相互交流。閱圖時應采用多種參考導聯(lián)和雙極導聯(lián)顯示以互相驗證,避免從始至終僅使用一種導聯(lián)組合閱圖。表中的參考電位包括同側耳電極AV和SD(有些儀器沒有SD),這2~3種參考導聯(lián)組合應分別編排。Cz僅作為下顳區(qū)電極的參考。在懷疑顳葉癲癇、額葉癲癇及癲癇外科術前評估的VEEG時,應常規(guī)增加下顳區(qū)電極,也可使用蝶骨電極和T1/T2作為下顳區(qū)電極,其他情況下可酌情省略。

 

4.5.1 對比左右局部變化

 

 

推薦使用局部參考導聯(lián)組合(表1-4)和局部雙極導聯(lián)組合(表1-5)。由于在排列上左右鏡像部位的導聯(lián)相鄰,適用于顯示局限于1~2個電極的異常波,便于與對側鏡像部位的對比,如T3與T4相鄰,兩點更容易對比。

 

4.5.2 對比左右腦區(qū)變化

 

 

推薦使用腦區(qū)參考導聯(lián)組合(表1-6)和腦區(qū)雙極導聯(lián)組合(表 1-7),適用于顯示一側較大范圍的異常電活動,如左右側旁中線區(qū)對比,或左右顳區(qū)對比。

 

4.5.3 對比左右半球變化

 

 

推薦使用半球參考導聯(lián)組合(表1-8)和半球雙極導聯(lián)組合(表1-9),適用于顯示一側大范圍或一側半球的廣泛異?;顒?。

 

4.5.4 雙極橫聯(lián)

 

 

見表1-10,適用于顯示前頭部、中央-中顳區(qū)或后頭部異常。

 

4.5.5 雙極環(huán)聯(lián)

 

表11.png

 

見表1-11,適用于顯示額極(Fp1-Fp2)或枕區(qū)(O1-O2)棘波的位相倒置。

 

注:以上表1-4至表1-11中的斜體字均為下顳區(qū)電極,在常規(guī)腦電圖或普通視頻腦電圖記錄時可關閉這些導聯(lián),但在懷疑顳葉癲癇或在癲癇外科術前評估時應增加下顳區(qū)記錄